対応プロセス

弊社では、半導体製造の前工程において、以下のプロセスに対応しています

1. Waferの種類・・・Si.GaAs等の化合物半導体、セラミック基板、サファイア基板等
2. Wafer Size・・・2インチ,4インチの小口径,特殊サイズ
3. 対象プロセス・・・下記の通り

1.成膜工程（スパッタ・蒸着）

SiO2膜、金属膜等の成膜が可能です。

2.リソグラフィー工程（i線ステッパー）

塗布

コーター・デバロッパーの自動機とi線ステッパーでのパターニングが可能です。フォトマスクの自社製作も可能です。

3.エッチング工程（DRY・Wet）

RIEによるDRYエッチングと溶液にするWetエッチングが可能です。

4.洗浄工程

酸・アルカリ等各種洗浄が可能です。

試作／量産

２インチ、４インチウエハーに最小0.5um幅のパターン形成が可能です。

• 
  配線パターン解像度
• 
  ホールパターン解像度

ハーフインチの膜付け処理が可能です。(Pt/Ti/Al/Ni/Au等）

6.8インチ テストウエハー製作も承ります

シリコン基板での６インチ、８インチの膜付け、パターニング加工も承ります。
低パーティクルで １００nmクラスのパターニングが可能です。(8インチ Si基板の場合）

製造装置

プロセス	装置	写真
成膜 （スパッタ）	ULVAC SH-450
成膜 （蒸着）	ULVAC EBX-8C
リソグラフィー （塗布・現像）	TEL Mark-Ⅴ
リソグラフィー （露光）	Nikon NSR-2205i11
エッチング （DRY）	SAMCO RIE-10NR
エッチング＆洗浄 （Wet & Wash）	ダン・タクマ HWC-6006

検査測定装置