ウェーハプロセス(前工程)
対応プロセス
弊社では、半導体製造の前工程において、以下のプロセスに対応しています
- Waferの種類・・・Si.GaAs等の化合物半導体、セラミック基板、サファイア基板等
- Wafer Size・・・2インチ,4インチの小口径,特殊サイズ
- 対象プロセス・・・下記の通り
1.成膜工程（スパッタ・蒸着）
SiO2膜、金属膜等の成膜が可能です。
2.リソグラフィー工程（i線ステッパー）
塗布
Nikon製i線ステッパーを使用したレジストパターンニング加工の受託加工が可能です。フォトマスクの制作も承ります。
露光
| 最小パターン | 0.5μm ライン＆スペース |
|---|---|
| 処理可能基板 | Si、サファイア、GaN、SiC、GaAs、InP、石英 |
| ウエハサイズ | 2インチ〜6インチまでのサイズ（不定形も可能） |
| 最大露光サイズ | 22mm（ウエハ上） |
| 使用レジスト | ポジレジスト、リフトオフレジスト |
現像
3.エッチング工程（DRY・Wet）
RIEによるDRYエッチングと溶液にするWetエッチングが可能です。
4.洗浄工程
酸・アルカリ等各種洗浄が可能です。
試作／量産
２インチ、４インチウエハーに最小0.5um幅のパターン形成が可能です。
配線パターン解像度
ホールパターン解像度
ハーフインチの膜付け処理が可能です。(Pt/Ti/Al/Ni/Au等）
6.8インチ テストウエハー製作も承ります
シリコン基板での６インチ、８インチの膜付け、パターニング加工も承ります。
低パーティクルで １００nmクラスのパターニングが可能です。(8インチ Si基板の場合）
製造装置
| プロセス | 装置 | 写真 |
|---|---|---|
| 成膜 （スパッタ） |
ULVAC SH-450 |  |
| 成膜 （蒸着） |
ULVAC EBX-8C |  |
| リソグラフィー （塗布・現像） |
TEL Mark-Ⅴ |  |
| リソグラフィー （露光） |
Nikon NSR-2205i11 |  |
| エッチング （DRY） |
SAMCO RIE-10NR |  |
| エッチング＆洗浄 （Wet & Wash） |
ダン・タクマ HWC-6006 |
 |
検査測定装置
| 表面検査 | WM-3・金属顕微鏡 |
|---|---|
| 膜厚測定 | エリプソメータ・ナノスぺック・段差計 |
| 寸法測定 | レーザー顕微鏡 |
| XY平行器 | メジャーNAVI |