次世代型パワーモジュールFLAP

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次世代型パワーモジュール汎用パッケージ 【FLAP】(特許取得)

FLAPの写真その1

通常のパワーモジュール汎用パッケージでは、SiC・GaN・Ga203のような、高性能デバイスでの使用には不向きでした。
弊社が開発した次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、これらの問題を解決し、体積・熱抵抗・パッケージインダクタンスなどの指標において従来品より大きく改善いたしました。

外形寸法 熱抵抗[℃/W]
Rth_j-c
パッケージ
インダクタンス[nH]
従来構造
(ODT開発)
147mm×60mm×18mm 0.2 58
開発パッケージ 71mm×40mm×5mm 0.074 4.7
効果 体積で91%減 63%減 92%減

特許について

次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、弊社独自の以下のテクノロジーによって実現しました。
またそれが公に認められ、特許を取得いたしました。

  • ・金属粒子焼結合技術
  • ・主回路接続部への超音波接合技術
  • ・小型パッケージ設計技術(高耐熱材料、低熱抵抗パッケージ構造等)

なおFLAPというネーミングは、この製品の特徴に由来しています。

  • FLAT・・・薄い
  • LOW・・・低い(低インダクタンス、低熱抵抗)
  • ADVANCE・・・進歩
  • POWER・・・パワーデバイス
    • また「FLAP(羽ばたく)」という意味も併せ持ち、この製品によってお取引先様の製品が世の中に羽ばたいていくようにという私たちの願いも込めています。

      御社の製品開発に、弊社独自製品のFLAPをご検討ください。