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【NEW】シンタリング焼結接合受託サービス開始

\プロセスエンジニア・部材メーカ様、焼結接合の試作してみたい方必見/

Ag(銀)、Cu(銅)などの金属ナノ粒子焼結接合(シンタリング接合)の受託サービスを開始しました。

金属ナノ粒子焼結接合(シンタリング接合)の受託サービス内容

  • シンタリング接合を用いたパワーモジュール試作
  • シンタリングを用いた接合性評価サンプル試作
  • パワー半導体デバイスの実装など

接合プロセス

  • ワークエリア:□100mm(MAX)
  • 実装環境:真空、N2
  • 加圧加熱:温度条件300℃(MAX) 加圧出力300kN(MAX)
  • 厚み違いのチップが一括焼結可能で、工期短縮・専用治具コスト削減のメリットがあります!

金属ナノ粒子焼結接合(シンタリング接合)による実装例

  • 接合材:Agナノベースト
  • チップの接合工法:加圧加熱接合
  • 基盤:Cu/Si3N4/Cu=0.3mm/0.32mm/0.3mm
  • パワー半導体チップ IGBTチップ:□6.4mm t=90μm、Siチップ:6mm×4.2mm t=400μm
IGBTチップAg焼結接合実装図
Ag焼結接合後画像
Ag焼結接合層のSAT画像
断面画像

①厚みの異なるチップもAg焼結接合層にボイド無く接合。

②厚みの薄いIGBTチップもAg焼結接合層が約30μmで均一な厚みで接合。

試作のご依頼から技術的なご相談まで幅広く承っております。
まずはお問い合わせフォームよりご相談ください。

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