2026.02.27
- 製品情報
【NEW】シンタリング焼結接合受託サービス開始
\プロセスエンジニア・部材メーカ様、焼結接合の試作してみたい方必見/
Ag(銀)、Cu(銅)などの金属ナノ粒子焼結接合(シンタリング接合)の受託サービスを開始しました。
金属ナノ粒子焼結接合(シンタリング接合)の受託サービス内容
- シンタリング接合を用いたパワーモジュール試作
- シンタリングを用いた接合性評価サンプル試作
- パワー半導体デバイスの実装など
接合プロセス
- ワークエリア:□100mm(MAX)
- 実装環境:真空、N2
- 加圧加熱:温度条件300℃(MAX) 加圧出力300kN(MAX)
- 厚み違いのチップが一括焼結可能で、工期短縮・専用治具コスト削減のメリットがあります!
金属ナノ粒子焼結接合(シンタリング接合)による実装例
- 接合材:Agナノベースト
- チップの接合工法:加圧加熱接合
- 基盤:Cu/Si3N4/Cu=0.3mm/0.32mm/0.3mm
- パワー半導体チップ IGBTチップ:□6.4mm t=90μm、Siチップ:6mm×4.2mm t=400μm




①厚みの異なるチップもAg焼結接合層にボイド無く接合。
②厚みの薄いIGBTチップもAg焼結接合層が約30μmで均一な厚みで接合。
試作のご依頼から技術的なご相談まで幅広く承っております。
まずはお問い合わせフォームよりご相談ください。
