パワーデバイス事業

ODTのパワーデバイス事業

販売されているパッケージが仕様に合わなくて、お困りではありませんか？
弊社ではオーダーの仕様に合わせ、オリジナルのパワーデバイスを開発します。
開発事例なども掲載中ですので、ぜひご参考ください。

ワイドバンドギャップ半導体(SiC,GaN)向けパワーモジュール FLAP

高性能ながら汎用性を兼ね備えた、特許取得の自社開発製品です。

ワイドバンドギャップ半導体
(SiC,GaN)向けケースタイプ
パワーモジュール FLAP-SS

FLAPがもつ"低熱抵抗"や"低パッケージインダクタンス"といった特徴はそのままに、自由な設計変更ができる自社開発パッケージです。

パワー半導体デバイス用ホルダーを用いたパワーモジュール回路構成技術

専用ホルダーを用いてさまざまな回路構成と冷却方式に対応するパワーモジュール構成技術です。

自社開発パワーモジュールSU-1/SU-2

産業用インバーターや電気自動車に最適なパワーモジュール SU-1/SU-2

パワーサイクル試験

試験装置を自社開発し、低コストながらもスピーディな納品を実現しました。
試験の種類は、ショートタイムとロングタイムに対応しております。

IMC接合プロセス

-160度〜300度と幅広い温度に強い、高温対応接合剤IMCを用いた接合プロセスです。この技術により、次世代の半導体デバイスを効率的に使用できます。