POWER DEVICEODTのパワーデバイス事業
パワーデバイスの設計開発から
ODTでは、お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイス(パワー半導体)の開発を受託いたします。
「求めている仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。
また「こういうものを作りたいんだけど」という、ご相談ベースからの開発も可能です。
多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。
ODTは、お客様の「作りたい！」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。
パワーデバイスパッケージ開発におけるODTの守備範囲
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| パワー半導体開発フロー | 【ODT】 | 大手パワー半導体メーカー |
|---|---|---|
| パワー半導体パッケージ設計開発 | ◯ | ◯ |
| 電気回路設計 | ◯ | ◯ |
| パッケージ試作 | ◯ | △ |
| 電気的特性評価 | ◯ | ◯ |
| パッケージ信頼性評価 | △ | ◯ |
| 量産（ディスクリート／モジュール） | ◯ | ◯ |
○：対応可能 △：一部外注 ×：対応不可
企画
お客様からは、製品の仕様（定格電流・電圧・サイズ・用途等）のみをご提示いただきます。
Si,SiC,GaN（窒化ガリウム）,Ga2O3（酸化ガリウム）の対応実績もありますので、ご相談ください。
設計
パッケージ設計（3D）
設計事例1
設計事例2
設計事例3
設計事例4
シミュレーション（熱・電磁界シミュレーション）
熱シミュレーション
電磁界シミュレーション
試作
各種パッケージの開発試作・組立試作(パッケージング)も受託できます。
ケースタイプモジュール・フルモールドタイプモジュール・パワーディスクリートタイプなど、幅広いパッケージでのご対応が可能です。
6in1モジュール（ケースタイプ パワーモジュール）
2in1モジュール（ケースタイプ パワーモジュール）
自社開発製品FLAP（フルモールドタイプ パワーモジュール）
各種TOパッケージ（パワーディスクリート）
評価・解析
各種パッケージの開発試作・組立試作もお受けできます。
ケースタイプモジュール・フルモールドタイプモジュール・パワーディスクリートタイプなど、幅広いパッケージでのご対応が可能です。
電気的特性の評価（静特性・スイッチング特性）
パッケージインダクタンスの検証
SAT（超音波顕微鏡）にて構造解析
ダイシェア・ワイヤープル・シェア・ツィザープル等の各種強度試験
パワーサイクル試験（信頼性評価）
パワーサイクル試験のみの受託も可能です。
量産
量産ライン
弊社では自社内に量産ラインも持っており、ご要望に応じた数量の量産を承ります。
パワーデバイスの試作から量産まで、生産対応が可能な工場です。
製造フロアの仕様
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| 温湿度管理 | 温度：25℃±5℃ 湿度：30%〜70% |
|---|---|
| ESD管理 | ESD：100V以下 |
| ダスト管理 ※0.5μｍダストカウント |
クリーンルーム：100p/cf以下 クリーンベンチ：30p/cf以下 |
製造プロセス・パッケージ
パワーモジュール製造プロセス
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| 工程 | 仕様 | ||
|---|---|---|---|
| ウェーハダイシング | ブレード | ウェーハ径 | MAX 8インチ |
| ダイボンディング | 搭載 | ダイサイズ | ロ0.25～20mm |
| 接合 | 半田 | ディスペンス・プリフォーム | |
| ベース接着 | 真空リフロー(ギ酸) | ベース板 | Cu |
| 絶縁基板 | AIN/SiN | ||
| Pb-Free | Max：350℃ | ||
| ケース接着 | ディスペンス・キュア | インサートケース | 2in1/6in1 |
| 接着剤 | シリコン系 | ||
| ワイヤボンディング | ウェッジボンディング （太線タイプ） |
径 | Φ100″～500μm |
| 材 | AL | ||
| 長 | 2.0～40mm | ||
| ウェッジボンディング （リボンタイプ） |
幅 | 0.5～2.0mm | |
| 厚 | 0.1～0.3mm | ||
| 材 | AL | ||
| 長 | 2.0～40mm | ||
| 端子接合(※) | 超音波接合 | 端子厚 | t=1.0mm |
| パッケージサイズ | 152×92mm | ||
| 封止 | ポッティング | ゲル | シリコン系 |
| 樹脂 | エポキシ系 | ||
| 電気的特性(静特性) | カーブトレーサ | 電圧 | Max ： 3,000V |
| 電流 | Max ： 1,000A | ||
| 出荷形態(※) | - | ケース | パッケージサイズによる |
※対象 FLAP
TOディスクリート製造プロセス
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| 工程 | 仕様 | |||
|---|---|---|---|---|
| ウェーハダイシング | ブレード | ウェーハ径 | MAX 8インチ | |
| ダイボンディング | 搭載 | ダイサイズ | ロ0.25～20mm | |
| 接合 | 半田(N2有) | ディスペンス・プリフォーム | ||
| ワイヤボンディング | ウェッジボンディング （太線タイプ） |
径 | Φ100″～500μm | |
| 材 | AL | |||
| 長 | 2.0～40mm | |||
| ウェッジボンディング （リボンタイプ） |
幅 | 0.5～2.0mm | ||
| 厚 | 0.1～0.3mm | |||
| 材 | AL | |||
| 長 | 2.0～40mm | |||
| 封止 | トランスファモ―ルド | リードフレームサイズ | Max：45×228mm | |
| 端子トリミング | リードフレーム切断 | PKG Size | □3.0～□15.7 | |
| 電気的特性 | TO系パッケージ用 オートハンドラー(※) |
DC 測定 | 電圧 | Max ： 2,000V |
| 電流 | Max ： 200A | |||
| IGBT | ICES,IGES,VTH,VCESAT | |||
| MOSFET | IDSS,IGSS,VTH,VDS(ON) | |||
| DIODE | VF,IR,VR | |||
| 熱抵抗 | 電流 | 0.001 ～ 50 (A) | ||
| パワータイム (PT) | 300μ ～ 9.99 (s) | |||
| 測定範囲 | △ VBE/ △ VDS/ △ VGS/ △ VF/ △ VCE | |||
| 測定範囲 | 000.0 – 999.9mV ( 分解能 0.1mV) | |||
| 測定範囲 | 0000 – 9999mV ( 分解能 1mV) | |||
| 電気的特性(静特性) | カーブトレーサ | 電圧 | Max ： 3,000V | |
| 電流 | Max ： 1,000A | |||
| 出荷形態(※) | チューブ | パッケージサイズ | Max:5.3×12.8mm | |
※対象 FLAP
モジュールパッケージ ラインナップ
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| パッケージ | ケースサイズ（mm） | 外観 | ||
|---|---|---|---|---|
| X | Y | t | ||
| SU-1 | 140 | 113 | 21 |
 |
| SU-2 | 152 | 62 | 16.8 |
 |
| FLAP | 71 | 45 | 5 |
 |
TOパッケージ ラインナップ
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| パッケージ | 端子数 | ボディサイズ（mm） | 量産 | 外観 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| X | Y | t | 端子ピッチ | ||||
| TO-220F | 2 | 10 | 16 | 4.7 | 5.08 | - |
|
| 3 | 10 | 16 | 4.7 | 2.54 | - | ||
| TO-220H | 2 | 10.46 | 15.36 | 4.5 | 5.08 | 可 |
|
| 3 | 10.46 | 15.4 | 4.5 | 2.54 | - | ||
| TO-247 | 3 | 15.9 | 21 | 5 | 5.44 | 可 |
|
| 4 | 15.9 | 21 | 5 | - | - |
|
|
| TO-264 | 3 | 20 | 24.5 | 5 | 5.45 | - |
|
弊社はお客様のパートナーとなり、製品の完成までしっかり伴走いたします。
お困りのお客様は、どうぞお気軽にお問い合わせください。
※赤太字は量産可