POWER MODULE FLAP-SSワイドバンドギャップ半導体(SiC,GaN)向けケースタイプ パワーモジュール FLAP-SS

FLAPがもつ"低熱抵抗"や"低パッケージインダクタンス"といった特徴はそのままに自由な設計変更ができるパッケージ　FLAP-SS　を開発しました。

FLAP-SSの特徴①　封止方法の選択の自由度が向上

基本となるリードフレーム、回路基板を共用化し、樹脂ケースを用いなければFLAPとして、樹脂ケースを用いることで　FLAP-SSとしてご利用いただけます。

FLAP-SSの特徴②　自由な樹脂ケース設計が可能

2in1

6in1

自由な樹脂ケース設計が可能であるため基本となるリードフレーム、回路基板を共用化し、2in1、6in1等のパワーモジュールパッケージへの展開が容易となります。
このため、新規構造提案時に金型費用等の高額なイニシャルを抑制できます。

FLAP-SSの特徴③　FLAP-SSはパワーデバイスパッケージ試作/評価に最適

リードフレーム、回路基板に対して自由に樹脂ケース設計ができるためさまざまなパワー半導体チップの実装が可能です。

GaN-HEMT実装 2in1
FLAP-SS

SiC-MOSFET実装 2in1
FLAP-SS

封止をしなければパワー半導体チップの状態が確認可能となるため熱抵抗評価、パワー半導体チップの温度確認が可能です。

通電中のパワー半導体チップ温度評価事例
※赤外線反射防止のためパッケージ表面を黒色塗料塗布しております。

市販されているパッケージでは仕様が合わない等のお困り事がございましたら、FLAP-SSをぜひご活用ください。御社のご希望仕様にあわせたモジュールを設計開発いたします。