POWER DEVICEODTのパワーデバイス事業

パワーデバイスの設計開発から

ODTでは、お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイスの開発を行います。
「求めている仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。
また「こういうものを作りたいんだけど」という、ご相談ベースからの開発も可能です。
多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。
ODTは、お客様の「作りたい!」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。

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パワーデバイスパッケージ開発におけるODTの守備範囲

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パワー半導体開発フロー 【ODT】 大手パワー半導体メーカー
パワー半導体パッケージ設計開発
電気回路設計
パッケージ試作
電気的特性評価
パッケージ信頼性評価
量産(ディスクリート/モジュール)

○:対応可能 △:一部外注 ×:対応不可

企画

お客様からは、製品の仕様(定格電流・電圧・サイズ・用途等)のみをご提示いただきます。
Si,SiC,GaN(窒化ガリウム),Ga2O3(酸化ガリウム)の対応実績もありますので、ご相談ください。

設計

パッケージ設計(3D)

試作事例1

試作事例1

試作事例2

試作事例2

試作事例3

試作事例3

試作事例4

試作事例4

シミュレーション(熱・電磁界シミュレーション)

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試作

各種パッケージの開発試作・組立試作もお受けできます。
ケースタイプモジュール・フルモールドタイプモジュール・パワーディスクリートタイプなど、幅広いパッケージでのご対応が可能です。

6in1モジュール(ケースタイプ パワーモジュール)

6in1モジュール(ケースタイプ パワーモジュール)

2in1モジュール(ケースタイプ パワーモジュール)

2in1モジュール(ケースタイプ パワーモジュール)

自社開発製品FLAP(フルモールドタイプ パワーモジュール) 自社開発製品FLAP(フルモールドタイプ パワーモジュール)

自社開発製品FLAP(フルモールドタイプ パワーモジュール)

各種TOパッケージ(パワーディスクリート)

各種TOパッケージ(パワーディスクリート)

評価・解析

各種パッケージの開発試作・組立試作もお受けできます。
ケースタイプモジュール・フルモールドタイプモジュール・パワーディスクリートタイプなど、幅広いパッケージでのご対応が可能です。

電気的特性の評価(静特性・スイッチング特性)

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パッケージインダクタンスの検証

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SAT(超音波顕微鏡)にて構造解析

SAT(超音波顕微鏡)にて構造解析 SAT(超音波顕微鏡)にて構造解析

ダイシェア・ワイヤープル・シェア・ツィザープル等の各種強度試験

パワーサイクル試験(信頼性評価)

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パワーサイクル試験のみの受託も可能です。

パワーサイクル試験について見る

量産

量産ライン

量産ライン 量産ライン

弊社では自社内に量産ラインも持っており、ご要望に応じた数量の量産を承ります。
パワーデバイスの試作から量産まで、生産対応が可能な工場です。

製造フロアの仕様

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温湿度管理 温度:25℃±5℃
湿度:30%〜70%
ESD管理 ESD:100V以下
ダスト管理
※0.5μmダストカウント
クリーンルーム:100p/cf以下
クリーンベンチ:30p/cf以下

製造プロセス・パッケージ

モジュール製造プロセス

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工程 仕様
ウェーハダイシング ブレード ウェーハ径 Max Φ8″
ダイボンディング 搭載 ダイサイズ ロ0.25~20mm
接合 半田 ディスペンス・プリフォーム
ベース接着 真空リフロー ベース板 Cu
絶縁基板 AIN/SiN
Pb-Free Max:350℃
ケース接着 キュア インサートケース 2in1/6in1
接着剤 シリコン系
ワイヤボンディング ウェッジボンディング
(太線タイプ)
Wire径 Φ100″~500μm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
ウェッジボンディング
(リボンタイプ)
Wire幅 0.5~2.0mm
Wire厚 0.1~0.3mm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
封止 ポッティング ゲル シリコン系
樹脂 エポキシ系
電気的特性(静特性) カーブトレーサ 電圧 Max : 3,000V
電流 Max : 1,000A
出荷形態(※) ケース PKG Size -
端子接合(※) 超音波接合 端子厚 t=1.0mm
PKG Size 152×92mm

※対象 FLAP

TO製造プロセス

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工程 仕様
ウェーハダイシング ブレード ウェーハ径 Max Φ8″
ダイボンディング 搭載 ダイサイズ ロ0.25~20mm
接合 半田(N2有) ディスペンス・プリフォーム
ワイヤボンディング ウェッジボンディング
(太線タイプ)
Wire径 Φ100″~500μm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
ウェッジボンディング
(リボンタイプ)
Wire幅 0.5~2.0mm
Wire厚 0.1~0.3mm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
封止 トランスファモ―ルド リードフレームサイズ Max:45×228mm
端子トリミング リードフレーム切断 PKG Size □3.0~□15.7
電気的特性 TO系パッケージ用
オートハンドラー(※)
DC 測定 電圧 Max : 2,000V
電流 Max : 200A
IGBT ICES,IGES,VTH,VCESAT
MOSFET IDSS,IGSS,VTH,VDS(ON)
DIODE VF,IR,VR
熱抵抗 電流 0.001 ~ 50 (A)
パワータイム (PT) 300μ ~ 9.99 (s)
測定範囲 △ VBE/ △ VDS/ △ VGS/ △ VF/ △ VCE
測定範囲 000.0 – 999.9mV ( 分解能 0.1mV)
測定範囲 0000 – 9999mV ( 分解能 1mV)
電気的特性(静特性) カーブトレーサ 電圧 Max : 3,000V
電流 Max : 1,000A
出荷形態(※) チューブ PKG Size Max:5.3×12.8mm

※対象 FLAP

モジュールパッケージ ラインナップ

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パッケージ ケースサイズ(mm) 外観
X Y t
SU-1 140 113 21
SU-1
SU-2 152 62 16.8
SU-2
FLAP 71 45 5
FLAP

TOパッケージ ラインナップ

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パッケージ 端子数 ボディサイズ(mm) 外観
X Y t 端子ピッチ
TO-220F 2 10 16 4.7 5.08 -
3 10 16 4.7 2.54 -
TO-220H 2 10.46 15.36 4.5 5.08
3 10.46 15.4 4.5 2.54 -
TO-247 3 15.9 21 5 5.44
TO-264 3 20 24.5 5 5.45 -

弊社はお客様のパートナーとなり、製品の完成までしっかり伴走いたします。
お困りのお客様は、どうぞお気軽にお問い合わせください。

※赤太字は量産可