ODTでは、お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイスの開発を行います。
「こういう仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。
また「こういうものを作りたいんだけど」という、ご相談ベースからの開発も可能です。
多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。
ODTは、お客様の「作りたい!」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。
パワーデバイスパッケージ開発におけるODTの守備範囲
パワー半導体開発フロー | 【ODT】 | 大手パワー 半導体メーカー |
A社 | B社 |
---|---|---|---|---|
パワー半導体パッケージ設計開発 | ○ | ○ | × | × |
電気回路設計 | ○ | ○ | × | × |
パッケージ信頼性評価 | △ | ○ | × | ○ |
電気的特性評価 | ○ | ○ | × | × |
パッケージ試作 | ○ | △ | ○ | ○ |
少量産 | ○ | × | × | × |
大量生産 | 要御相談 | ○ | × | × |
○:対応可能、 △:一部外注、 ×:対応不可
お客様からは、製品の仕様(定格電流・電圧・サイズ・用途等)のみをご提示いただきます。
Si,SiC,GaN,Ga2O3の対応実績もありますので、ご相談ください。
仕様に伴った回路設計をし、回路図面を作成いたします。
接合材料・ワイヤーの種類・サイズ・封止材料等を選定いたします。
熱シミュレーション
電磁界シミュレーション
各種パッケージの実際の試作を行います。
ダイシェア・ワイヤープル・シェア・ツィザープル等の各種強度試験
弊社では自社内に量産ラインも持っており、ご要望に応じた数量の量産を承ります。
パワーデバイスの試作から量産まで、生産対応が可能な工場です。
工程 | プロセス | マテリアル | |
---|---|---|---|
裏面研削 | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ8″ |
ウェーハダイシング | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ8″ |
ダイボンディング | ウェーハ径 DieSize |
ウェーハ径 | Max Φ8″ |
DieSize | ロ0.25~20mm | ||
接合 | 半田(N2有) | ディスペンス・プリフォーム | |
ベース接着 | 真空リフロー | ベース板 | Cu |
絶縁基板 | AIN/SiN | ||
DieSize | ロ0.25~20mm | ||
Pb-Free | Max:350℃ | ||
ケース接着 | キュア | インサートケース | 2in1/6in1 |
接着剤 | シリコン系 | ||
ワイヤボンディング | ウェッジボンディング (太線タイプ) |
Wire径 | Φ100″~500μm |
Wire材 | AL | ||
Wire長 | 2.0~40mm | ウェッジボンディング (リボンタイプ) |
Wire幅 | 0.5~2.0mm |
Wire厚 | 0.1~0.3mm | ||
Wire材 | AL | ||
Wire長 | 2.0~40mm | ||
端子接合 | 超音波接合 | 端子厚 | t=1.0mm |
PKG Size | 152×92mm | ||
封止 | トランス ファモ―ルド |
リードフレーム | Max:45×228mm |
ポッティング | ゲル | シリコン系 | |
樹脂 | エポキシ系 | ||
TF | トリミング フォーミング |
PKG Size | □3.0~□15.7 |
電気テスト | カーブトレーサ | 電圧 | Max:3,000V |
電流 | Max:1,000A | ||
出荷形態 | チューブ | PKG Size | Max:5.3×12.8mm |
ケース | PKG Size | – |
パッケージ | ケースサイズ | 外観 | ||
---|---|---|---|---|
X | Y | t | ||
SU-1 | 140 | 113 | 21 | ![]() |
SU-2 | 152 | 62 | 16.8 | ![]() |
FLAP | 71 | 45 | 5 | ![]() |
パッケージ | 端子数 | ボディサイズ | コード | 対応チップ サイズ |
リード材 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
X | Y | t | 端子 ピッチ |
|||||
TO-220F | 2 | 10.0 | 16.0 | 4.7 | 5.08 | – | 7.0×4.5mm | Cu,Ni |
3 | 10.0 | 16.0 | 4.7 | 2.54 | – | 7.0×4.5mm | Cu,Ni | |
TO-220H | 2 | 10.46 | 15.4 | 4.5 | 5.08 | – | 7.0×4.5mm | Cu,Ni |
TO-247 | 3 | 15.9 | 21.0 | 5.0 | 5.44 | – | 11.0×7.5mm | Cu,Ni |
TO-264 | 3 | 20.0 | 24.5 | 5.0 | 5.45 | – | 14.5×11.25mm | Cu |
1. | フルSiC 6in1パワーモジュール | ⇒ | 軽自動車向けレンジエクステンダーEV |
---|---|---|---|
2. | フルSiC 12in1パワーモジュール | ⇒ | 軽自動車向けレンジエクステンダーEV |
3. | フルSiC 2in1パワーモジュール | ⇒ | 太陽光発電用PCS(開発用途) |
4. | GaNパワーモジュール(2品種) | ⇒ | 研究開発用途 |
5. | Si-IGBTモジュール(2品種) | ⇒ | 開発着手直前 |
6. | Si-MOSFETモジュール | ⇒ | 開発着手前(バッテリーフォークリフト) |
7. | Si-IGBTモジュール(3品種) | ⇒ | 開発中 |
弊社はお客様のパートナーとなり、製品の完成までしっかり伴走いたします。
お困りのお客様は、どうぞお気軽にお問い合わせください。