ODTのパワーデバイス事業
パワーデバイスの設計開発から
ODTでは、お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイスの開発を行います。
「こういう仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。
また「こういうものを作りたいんだけど」という、ご相談ベースからの開発も可能です。
多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。
ODTは、お客様の「作りたい！」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。
パワーデバイスパッケージ開発におけるODTの守備範囲
| パワー半導体開発フロー | 【ODT】 | 大手パワー 半導体メーカー |
A社 | B社 |
|---|---|---|---|---|
| パワー半導体パッケージ設計開発 | ○ | ○ | × | × |
| 電気回路設計 | ○ | ○ | × | × |
| パッケージ信頼性評価 | △ | ○ | × | ○ |
| 電気的特性評価 | ○ | ○ | × | × |
| パッケージ試作 | ○ | △ | ○ | ○ |
| 少量産 | ○ | × | × | × |
| 大量生産 | 要御相談 | ○ | × | × |
○：対応可能、 △：一部外注、 ×：対応不可
企画
お客様からは、製品の仕様（定格電流・電圧・サイズ・用途等）のみをご提示いただきます。
Si,SiC,GaN,Ga2O3の対応実績もありますので、ご相談ください。
設計
回路設計
仕様に伴った回路設計をし、回路図面を作成いたします。
構造設計（2D）
パターン設計（3D）
材料選定
接合材料・ワイヤーの種類・サイズ・封止材料等を選定いたします。
シミュレーション（熱・電磁界シミュレーション）
熱シミュレーション
電磁界シミュレーション
開発試作
各種パッケージの実際の試作を行います。
パワーデバイスモジュール
2in1モジュール
自社開発製品FLAP
各種TOパッケージ
評価・解析
パッケージインダクタンスの検証
電気的特性の評価（静特性・スイッチング特性）
パワーサイクル（信頼性評価）
SAT（超音波顕微鏡）にて構造解析
ダイシェア・ワイヤープル・シェア・ツィザープル等の各種強度試験
量産
量産ライン
弊社では自社内に量産ラインも持っており、ご要望に応じた数量の量産を承ります。
第三工場
パワーデバイスの試作から量産まで、生産対応が可能な工場です。
製造現場の仕様（温湿度・ダストデータ）
製造プロセス・パッケージ
製造プロセス
| 工程 | プロセス | マテリアル | |
|---|---|---|---|
| 裏面研削 | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ8″ |
| ウェーハダイシング | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ8″ |
| ダイボンディング | ウェーハ径 DieSize |
ウェーハ径 | Max Φ8″ |
| DieSize | ロ0.25～20mm | ||
| 接合 | 半田(N2有) | ディスペンス・プリフォーム | |
| ベース接着 | 真空リフロー | ベース板 | Cu |
| 絶縁基板 | AIN/SiN | ||
| DieSize | ロ0.25～20mm | ||
| Pb-Free | Max：350℃ | ||
| ケース接着 | キュア | インサートケース | 2in1/6in1 |
| 接着剤 | シリコン系 | ||
| ワイヤボンディング | ウェッジボンディング （太線タイプ） |
Wire径 | Φ100″～500μm |
| Wire材 | AL | ||
| Wire長 | 2.0～40mm | ウェッジボンディング （リボンタイプ） |
Wire幅 | 0.5～2.0mm |
| Wire厚 | 0.1～0.3mm | ||
| Wire材 | AL | ||
| Wire長 | 2.0～40mm | ||
| 端子接合 | 超音波接合 | 端子厚 | t=1.0mm |
| PKG Size | 152×92mm | ||
| 封止 | トランス ファモ―ルド |
リードフレーム | Max：45×228mm |
| ポッティング | ゲル | シリコン系 | |
| 樹脂 | エポキシ系 | ||
| TF | トリミング フォーミング |
PKG Size | □3.0～□15.7 |
| 電気テスト | カーブトレーサ | 電圧 | Max：3,000V |
| 電流 | Max：1,000A | ||
| 出荷形態 | チューブ | PKG Size | Max:5.3×12.8mm |
| ケース | PKG Size | – | |
モジュールパッケージ ラインナップ
| パッケージ | ケースサイズ | 外観 | ||
|---|---|---|---|---|
| X | Y | t | ||
| SU-1 | 140 | 113 | 21 |  |
| SU-2 | 152 | 62 | 16.8 |  |
| FLAP | 71 | 45 | 5 |  |
TOパッケージ ラインナップ
| パッケージ | 端子数 | ボディサイズ | コード | 対応チップ サイズ |
リード材 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| X | Y | t | 端子 ピッチ |
|||||
| TO-220F | 2 | 10.0 | 16.0 | 4.7 | 5.08 | – | 7.0×4.5mm | Cu,Ni |
| 3 | 10.0 | 16.0 | 4.7 | 2.54 | – | 7.0×4.5mm | Cu,Ni | |
| TO-220H | 2 | 10.46 | 15.4 | 4.5 | 5.08 | – | 7.0×4.5mm | Cu,Ni |
| TO-247 | 3 | 15.9 | 21.0 | 5.0 | 5.44 | – | 11.0×7.5mm | Cu,Ni |
| TO-264 | 3 | 20.0 | 24.5 | 5.0 | 5.45 | – | 14.5×11.25mm | Cu |
開発実績
| 1. | フルSiC 6in1パワーモジュール | ⇒ | 軽自動車向けレンジエクステンダーEV |
|---|---|---|---|
| 2. | フルSiC 12in1パワーモジュール | ⇒ | 軽自動車向けレンジエクステンダーEV |
| 3. | フルSiC 2in1パワーモジュール | ⇒ | 太陽光発電用PCS（開発用途） |
| 4. | GaNパワーモジュール（2品種） | ⇒ | 研究開発用途 |
| 5. | Si-IGBTモジュール（2品種） | ⇒ | 開発着手直前 |
| 6. | Si-MOSFETモジュール | ⇒ | 開発着手前（バッテリーフォークリフト） |
| 7. | Si-IGBTモジュール（3品種） | ⇒ | 開発中 |
弊社はお客様のパートナーとなり、製品の完成までしっかり伴走いたします。
お困りのお客様は、どうぞお気軽にお問い合わせください。