ODTのパワーデバイス事業

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パワーデバイスの設計開発から

ODTでは、お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイスの開発を行います。
「こういう仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。
また「こういうものを作りたいんだけど」という、ご相談ベースからの開発も可能です。
多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。
ODTは、お客様の「作りたい!」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。

半導体量産製造サービス

パワーデバイスパッケージ開発におけるODTの守備範囲

パワー半導体開発フロー 【ODT】 大手パワー
半導体メーカー
A社 B社
パワー半導体パッケージ設計開発 × ×
電気回路設計 × ×
パッケージ信頼性評価 ×
電気的特性評価 × ×
パッケージ試作
少量産 × × ×
大量生産 要御相談 × ×

○:対応可能、 △:一部外注、 ×:対応不可

企画

お客様からは、製品の仕様(定格電流・電圧・サイズ・用途等)のみをご提示いただきます。
Si,SiC,GaN,Ga2O3の対応実績もありますので、ご相談ください。

設計

回路設計

仕様に伴った回路設計をし、回路図面を作成いたします。

構造設計(2D)

パターン設計(3D)

材料選定

接合材料・ワイヤーの種類・サイズ・封止材料等を選定いたします。

シミュレーション(熱・電磁界シミュレーション)

熱シミュレーション

電磁界シミュレーション

開発試作

各種パッケージの実際の試作を行います。

パワーデバイスモジュール

2in1モジュール

2in1モジュール

自社開発製品FLAP

各種TOパッケージ

評価・解析

パッケージインダクタンスの検証

電気的特性の評価(静特性・スイッチング特性)

パワーサイクル(信頼性評価)

詳しくはこちら

SAT(超音波顕微鏡)にて構造解析

ダイシェア・ワイヤープル・シェア・ツィザープル等の各種強度試験

量産

量産ライン

弊社では自社内に量産ラインも持っており、ご要望に応じた数量の量産を承ります。

第三工場

パワーデバイスの試作から量産まで、生産対応が可能な工場です。

製造現場の仕様(温湿度・ダストデータ)

製造プロセス・パッケージ

製造プロセス

工程 プロセス マテリアル
裏面研削 ブレード ウェーハ径 Max Φ8″
ウェーハダイシング ブレード ウェーハ径 Max Φ8″
ダイボンディング ウェーハ径
DieSize
ウェーハ径 Max Φ8″
DieSize ロ0.25~20mm
接合 半田(N2有) ディスペンス・プリフォーム
ベース接着 真空リフロー ベース板 Cu
絶縁基板 AIN/SiN
DieSize ロ0.25~20mm
Pb-Free Max:350℃
ケース接着 キュア インサートケース 2in1/6in1
接着剤 シリコン系
ワイヤボンディング ウェッジボンディング
(太線タイプ)
Wire径 Φ100″~500μm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
ウェッジボンディング
(リボンタイプ)
Wire幅 0.5~2.0mm
Wire厚 0.1~0.3mm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
端子接合 超音波接合 端子厚 t=1.0mm
PKG Size 152×92mm
封止 トランス
ファモ―ルド
リードフレーム Max:45×228mm
ポッティング ゲル シリコン系
樹脂 エポキシ系
TF トリミング
フォーミング
PKG Size □3.0~□15.7
電気テスト カーブトレーサ 電圧 Max:3,000V
電流 Max:1,000A
出荷形態 チューブ PKG Size Max:5.3×12.8mm
ケース PKG Size

モジュールパッケージ ラインナップ

パッケージ ケースサイズ 外観
X Y t
SU-1 140 113 21
SU-2 152 62 16.8
FLAP 71 45 5

TOパッケージ ラインナップ

パッケージ 端子数 ボディサイズ コード 対応チップ
サイズ
リード材
X Y t 端子
ピッチ
TO-220F 2 10.0 16.0 4.7 5.08 7.0×4.5mm Cu,Ni
3 10.0 16.0 4.7 2.54 7.0×4.5mm Cu,Ni
TO-220H 2 10.46 15.4 4.5 5.08 7.0×4.5mm Cu,Ni
TO-247 3 15.9 21.0 5.0 5.44 11.0×7.5mm Cu,Ni
TO-264 3 20.0 24.5 5.0 5.45 14.5×11.25mm Cu

開発実績

1. フルSiC 6in1パワーモジュール 軽自動車向けレンジエクステンダーEV
2. フルSiC 12in1パワーモジュール 軽自動車向けレンジエクステンダーEV
3. フルSiC 2in1パワーモジュール 太陽光発電用PCS(開発用途)
4. GaNパワーモジュール(2品種) 研究開発用途
5. Si-IGBTモジュール(2品種) 開発着手直前
6. Si-MOSFETモジュール 開発着手前(バッテリーフォークリフト)
7. Si-IGBTモジュール(3品種) 開発中

弊社はお客様のパートナーとなり、製品の完成までしっかり伴走いたします。
お困りのお客様は、どうぞお気軽にお問い合わせください。