ODTのパワーデバイス事業

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パワーデバイスの設計開発から

ODTでは、お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイスの開発を行います。
「こういう仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。
また「こういうものを作りたいんだけど」という、ご相談ベースからの開発も可能です。
多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。
ODTは、お客様の「作りたい!」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。

半導体量産製造サービス

パワーデバイスパッケージ開発におけるODTの守備範囲

パワー半導体開発フロー 【ODT】 大手パワー
半導体メーカー
A社 B社
パワー半導体パッケージ設計開発 × ×
電気回路設計 × ×
パッケージ試作
電気的特性評価 ×
パッケージ信頼性評価 ×
量産(ディスクリート/モジュール) × ×

○:対応可能、 △:一部外注、 ×:対応不可

企画

お客様からは、製品の仕様(定格電流・電圧・サイズ・用途等)のみをご提示いただきます。
Si,SiC,GaN(窒化ガリウム),Ga2O3(酸化ガリウム)の対応実績もありますので、ご相談ください。

設計

パッケージ設計(3D)

試作事例1

試作事例2

試作事例3

試作事例4

シミュレーション(熱・電磁界シミュレーション)

熱シミュレーション

電磁界シミュレーション

試作

各種パッケージの開発試作・組立試作もお受けできます。
ケースタイプモジュール・フルモールドタイプモジュール・パワーディスクリートタイプなど、幅広いパッケージでのご対応が可能です。

6in1モジュール(ケースタイプ パワーモジュール)

2in1モジュール(ケースタイプ パワーモジュール)

2in1モジュール

自社開発製品FLAP(フルモールドタイプ パワーモジュール)

各種TOパッケージ(パワーディスクリート)

評価・解析

電気的特性の評価(静特性・スイッチング特性)

パッケージインダクタンスの検証

SAT(超音波顕微鏡)にて構造解析

ダイシェア・ワイヤープル・シェア・ツィザープル等の各種強度試験

パワーサイクル試験(信頼性評価)

パワーサイクル試験のみの受託も可能です。

詳しくはこちら

量産

量産ライン

弊社では自社内に量産ラインも持っており、ご要望に応じた数量の量産を承ります。
パワーデバイスの試作から量産まで、生産対応が可能な工場です。

製造現場の仕様(温湿度・ダストデータ)

製造プロセス・パッケージ

モジュール製造プロセス

工程 仕様
ウェーハダイシング ブレード ウェーハ径 Max Φ8″
ダイボンディング 搭載 ダイサイズ ロ0.25~20mm
接合 半田 ディスペンス・プリフォーム
ベース接着 真空リフロー ベース板 Cu
絶縁基板 AIN/SiN
Pb-Free Max:350℃
ケース接着 キュア インサートケース 2in1/6in1
接着剤 シリコン系
ワイヤボンディング ウェッジボンディング
(太線タイプ)
Wire径 Φ100″~500μm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
ウェッジボンディング
(リボンタイプ)
Wire幅 0.5~2.0mm
Wire厚 0.1~0.3mm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
封止 ポッティング ゲル シリコン系
樹脂 エポキシ系
電気的特性(静特性) カーブトレーサ 電圧 Max : 3,000V
電流 Max : 1,000A
出荷形態(※) ケース PKG Size
端子接合(※) 超音波接合 端子厚 t=1.0mm
PKG Size 152×92mm

※対象 FLAP

TO製造プロセス

工程 仕様
ウェーハダイシング ブレード ウェーハ径 Max Φ8″
ダイボンディング 搭載 ダイサイズ ロ0.25~20mm
接合 半田(N2有) ディスペンス・プリフォーム
ワイヤボンディング ウェッジボンディング
(太線タイプ)
Wire径 Φ100″~500μm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
ウェッジボンディング
(リボンタイプ)
Wire幅 0.5~2.0mm
Wire厚 0.1~0.3mm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
封止 トランスファモ―ルド リードフレームサイズ Max:45×228mm
端子トリミング リードフレーム切断 PKG Size □3.0~□15.7
電気的特性 TO系パッケージ用
オートハンドラー(※)
DC 測定 電圧 Max : 2,000V
電流 Max : 200A
IGBT ICES,IGES,VTH,VCESAT
MOSFET IDSS,IGSS,VTH,VDS(ON)
DIODE VF,IR,VR
熱抵抗 電流 0.001 ~ 50 (A)
パワータイム (PT) 300μ ~ 9.99 (s)
測定範囲 △ VBE/ △ VDS/ △ VGS/ △ VF/ △ VCE
測定範囲 000.0 – 999.9mV ( 分解能 0.1mV)
測定範囲 0000 – 9999mV ( 分解能 1mV)
電気的特性(静特性) カーブトレーサ 電圧 Max : 3,000V
電流 Max : 1,000A
出荷形態(※) チューブ PKG Size Max:5.3×12.8mm

※対象 TO-220H(2pin)とTO-247(3pin)

モジュールパッケージ ラインナップ

パッケージ ケースサイズ(mm) 外観
X Y t
SU-1 140 113 21
SU-2 152 62 16.8
FLAP 71 45 5

IGBTモジュール IPMはこちら

TOパッケージ ラインナップ

パッケージ 端子数 ボディサイズ(mm) 量産
X Y t 端子
ピッチ
TO-220F 2 10 16 4.7 5.08
3 10 16 4.7 2.54
TO-220H 2 10.46 15.36 4.5 5.08
3 10.46 15.4 4.5 2.54
TO-247 3 15.9 21 5 5.44
TO-264 3 20 24.5 5 5.45

※赤太字は、量産可

弊社はお客様のパートナーとなり、製品の完成までしっかり伴走いたします。
お困りのお客様は、どうぞお気軽にお問い合わせください。