半導体試作サポート

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半導体試作サポート

試作から量産までをワンストップでサポート

デバイス開発時における初期特性評価やウェーハ配線など、長期信頼性評価及び解析用として、セラミックパッケージへの組立サービスのほかに、「半導体試作サポート」を行っております。

これはお客さまの細かなニーズに対応するため、試作案件の一部工程のみを弊社にて代行するサービスです。
EM(ElectroMigration)・酸化膜経時破壊(TDDB)・TEG(Test Element Group)などのご評価にもお役立て下さい。

また、ご評価を終えたパッケージ済品からチップを取り出し、セラミックパッケージの再利用も可能です。

半導体試作サービス

製造プロセス・パッケージ

多様化するパッケージ形態にお応えすべく、製造プロセスの技術向上に努めております。
以下に記載のないものや、応用が必要な特注試作品につきましてもお気軽にご相談ください。

製造プロセス

工程 プロセス マテリアル
裏面研削 ブレード ウェーハ径 Max Φ12″
ウェーハダイシング ブレード ウェーハ径 Max Φ12″
ダイボンディング ウェーハ径DieSize ウェーハ径 Max Φ12″
DieSize □0.25~20mm
加熱タイプ 共昌接合 Max400℃
半田(N2有) ディスペンス・プリフォーム
常温(ペースト) ペースト材 導電性・絶縁性
ワイヤボンディング ボールボンディング Wire径 Φ15″~38μm
Wire材 Au.Cu.Ag
Wire長 0.2~9.0mm
Pad Size Min □30μm
Pad Pitch Min 40μm
ウェッジボンディング
(鋼線タイプ)
Wire径 Φ15″~80μm
Wire材 Au.Cu.AL.Ag
Wire長 0.2~19.0mm
Pad Size Min □50μm
Pad Pitch Min 60μm
ウェッジボンディング
(太線タイプ)
Wire径 Φ100″~500μm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
ウェッジボンディング
(リボンタイプ)
Wire幅 0.5~2.0mm
Wire厚 0.1~0.3mm
Wire材 AL
Wire長 2.0~40mm
端子接合 超音波接合 端子厚 t=1.0mm
PKG Size 152×92mm
封止 トランスファモ―ルド リードフレーム Max:45×228mm
ポッティング ディスペンス 2軸ヘッド搭載
TF トリミングフォーミング PKG Size □3.0~□15.7
電気テスト カーブトレーサ 電圧 Max:3,000V
電流 Max:1,000A
出荷形態 テープリール PKG Size 3.0×4.0mm~5.3×12.8mm
チューブ PKG Size Max:5.3×12.8mm
トレー PKG Size □12.0~□28.0

パッケージ素材

弊社の主なパッケージ試作実績代表例をご案内いたします。

セラミックパッケージ/PCB基板の一例

DIP PGA QFP
dip pga qfp
QFN PCB
qfn pcb

このほか、SOP, VSSOP, TSSOPなどプラスチックパッケージも対応可能です。
パワーデバイスページも合わせてご覧ください。

プロセス、使用部材を柔軟に対応

試作専用の装置を多数保有し、経験を積んだ熟練工が対応します。ルーティン工程に制限されることなく、装置のみでは不可能なプロセスや材料・仕様にも柔軟にお応えします。

極薄チップ対応

20~30um厚などの極薄チップは、装置での取り扱いが難しくなりますが
弊社の経験を積んだスタッフが、高精度を伴ったマニュアル作業にて対応します。

微細・高精度、制限条件のあるデザイン仕様への対応

開発/試作段階は、実装デザインが仕様上制限されてしまう
ことがよくあります。微細・高精度が求められるものや、
ボンディングワイヤが長くなってしまうものなど柔軟に対応
します。また、I/O配線・アサインの制限で、ワイヤボンデ
ィングが困難なものも、設計提案します。

クロス/オーバーのワイヤボンディング

ボンディングワイヤのループ高さ、形状を細かく設定・制御することで、
高精度でのワイヤ結線が可能です。

ガラスエポキシ基板

チップ・ワイヤの保護も可能です

COB(Chip on Board)等の基板への組立サービスも行っております。樹脂ポッティングによるチップ・ワイヤの保護も対応可能です。

チップ・ワイヤの保護も可能です

パッケージ開封品のワイヤボンディング

パッケージ封止材を開封したチップへの再ワイヤボンディングをします。
PADの状態が良くないものは、
ウェッジボンディングが有効になります。