エンジニアサポートサービス

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エンジニアサポートサービス

デバイス開発時における初期特性評価やウェーハ配線などの長期信頼性評価、及び解析用としてセラミックパッケージへの組立サービスのほかに、「エンジニアリングサポートサービス」を行っております。
お客さまの細かなニーズに対応するため、試作案件の一部工程のみを弊社にて代行するサービスです。
EM（ElectroMigration）、酸化膜経時破壊（TDDB）、TEG（Test Element Group）などのご評価にもお役立て下さい。
ご評価を負えられたパッケージ済品からチップを取り出して、セラミックパッケージの再利用も可能です。

セラミックパッケージ組立サービス

※1：チップトレース
ウェーハ上のチップアドレスをトレース出来るよう、搭載チップのアドレスをセラミックパッケージに罫書きを実施し、判別可能な状態にします。

※2：簡易シーリング
チップ～ワイヤを保護する為に、簡易的にフタを取り付けます。
取り外し可能なフタですので、チップへの物理的アクセスが可能です。

※3：パッケージリユース
セラミックパッケージは、弊社でチップを剥がすことで、再利用が可能です。
パッケージの調達コストを低減することが出来ます。

製造プロセス・パッケージ

多様化するパッケージ形態にお応えすべく、製造プロセスの技術向上に努めております。
以下に記載のないものや、応用が必要な特注試作品につきましてもお気軽にご相談ください。

工程 プロセス マテリアル 試作
裏面研削 ブレード ウェーハ径 Max Φ12″ ●
ウェーハ
ダイシング		 ブレード ウェーハ径 Max Φ12″ ●
ダイ
ボンディング		 ウェーハ径
DieSize		 ウェーハ径 Max Φ12″ ●
DieSize ロ0.25～20mm ●
加熱タイプ 共昌接合 Max400℃ ●
DAF(Die Attach Film) ●
半田(N2有) ディスペンス・板 ●
常温(ペースト) ペースト材 導電性・絶縁性 ●
ワイヤ
ボンディング		 ボール
ボンディング		 Wire径 Φ15″～38μm ●
Wire材 Au.Cu.Ag ●
Wire長 0.2～9.0mm ●
Pad Size Min ロ 30μm ●
Pad Pitch Min 40μm ●
ウェッジ
ボンディング
(鋼線タイプ)		 Wire径 Φ15″～80μm ●
Wire材 Au.Cu.AL.Ag ●
Wire長 0.2～19.0mm ●
Pad Size Min ロ 50μm ●
Pad Pitch Min 60μm ●
ウェッジ
ボンディング
(太線タイプ)		 Wire径 Φ100″～500μm ●
Wire材 AL ●
Wire長 2.0～40mm ●
ウェッジ
ボンディング
(リボンタイプ)		 Wire幅 0.5～2.0mm ●
Wire厚 0.1～0.3mm ●
Wire材 AL ●
Wire長 2.0～40mm ●
封止 トランス
ファモ―ルド		 リードフレーム 45×228mm ●
ポッティング ディスペンス ２輪ヘッド搭載 ●
TF トリミング
フォーミング		 PKG Size □3.0～□15.7 □7.8～□15.7
出荷形態 Taping PKG Size 3.0×4.0mm～5.3×12.8mm ー
トレー PKG Size □12.0～□28.0 ●
パッケージ 端子数 ボディサイズ コード 対応チップ
サイズ		 リード材 試作
X Y t 端子
ピッチ
SOP 14 10.3 5.3 1.5 1.27 SOP14-P-300-1.27 2.5×3.0mm Cu,Pd-PPF ●
16 10.3 5.3 1.5 1.27 SOP16-P-300-1.27 3.0×5.0mm Cu,Pd-PPF ●
20 12.8 5.3 1.5 1.27 SOP20-P-300-1.27 3.2×5.0mm Cu,Pd-PPF ●
VSSOP 14 4 3 0.8 0.5 VSSOP14-P-0030-0.50 1.4×1.8mm Cu,Pd-PPF ●
16 4 3 0.8 0.5 VSSOP16-P-0030-0.50 1.4×1.8mm Cu,Pd-PPF ●
20 5 3 0.8 0.5 VSSOP20-P-0030-0.50 1.4×2.0mm Cu,Pd-PPF ●
TSSOP 14 5.4 4.4 1.2 0.65 TSSOP14-P-0044-0.65A 2.4×2.5mm Cu,Pd-PPF ●
TO-220F 2 10 16 4.7 5.08 ー 7.0×4.5mm Cu ●
3 10 16 4.7 2.54 ー 7.0×4.5mm Cu ●
TO-247 3 15.9 21 5 5.44 ー 11.0×7.5mm Cu ●
TO-264 3 20 24.5 5 5.45 ー 14.5×11.25mm Cu ●

プロセス、使用部材を柔軟に対応

試作専用の装置を多数保有し、経験を積んだ熟練工が対応します。ルーティン工程に制限されることなく、装置のみでは不可能なプロセスや材料・仕様にも柔軟にお応えします。

極薄チップ対応

20～30um厚などの極薄チップは、装置での取り扱いが難しくなりますが
弊社の経験を積んだスタッフが、高精度を伴ったマニュアル作業にて対応します。

多積層実装

導電性/絶縁性樹脂、DAFなどの各種接着材で極薄チップを積層します。

チップ御支給形態

ゲルパック、シート貼付けなどで、ご支給ください。

各種接着剤でのダイボンド

通常よく用いられる、導電性樹脂・絶縁樹脂以外の接着材料も対応が可能です。

耐熱ポリイミドフィルム

特性確認・評価後に、取り外し可能です。プラスチックパッケージ搭載など、ICソケット代わりとして
もご利用可能です。150℃まで耐熱性があります。取外しは、弊社にご依頼ください。

ダイボンド・ワイヤボンド部の保護

樹脂のポッティングでの封止と、取り外し可能なカバーの取付けが可能です。
弊社でのパッケージング後、機能・特性評価/確認の内容にあわせて、ご指示ください。

ポッティング

微細・高精度、制限条件のあるデザイン仕様への対応

開発/試作段階は、実装デザインが仕様上制限されてしまう
ことがよくあります。微細・高精度が求められるものや、
ボンディングワイヤが長くなってしまうものなど柔軟に対応
します。また、I/O配線・アサインの制限で、ワイヤボンデ
ィングが困難なものも、設計提案します。

クロス/オーバーのワイヤボンディング

ボンディングワイヤのループ高さ、形状を細かく設定・制御することで、
高精度でのワイヤ結線が可能です。

組立サービスから再利用サービスまで

デバイス開発時における初期特性評価やウェーハ配線信頼性評価、および解析の用途としてセラミックパッケージへの組立サービスを行っております。またご評価／試験を終えられたパッケージ済品からチップを取り外し、次回ご依頼時での再利用のサービスも行っております。

パッケージタイプ：DIC・QFC・PGA・LCC等

開発コスト低減の提案(パッケージの再利用について)

セラミックパッケージのリユースを実施しております。ご評価済のパッケージをご送付ください。パッケージからチップを取り出しお客様のパッケージご調達にかかる費用・時間を削減出来ます。

開発コスト低減の提案

ガラスエポキシ基板

チップ・ワイヤの保護も可能です

COB(Chip on Board)等の基板への組立サービスも行っております。樹脂ポッティングによるチップ・ワイヤの保護も対応可能です。

チップ・ワイヤの保護も可能です

実装事例

パッケージ開封品のワイヤボンディング

パッケージ封止材を開封したチップへの再ワイヤボンディングをします。
PADの状態が良くないものは、
ウェッジボンディングが有効になります。

ウェッジボンド事例

狭ＰＡＤボンディング

マルチチップのダイボンド