PROTOTYPE SUPPORT半導体試作サポート

半導体試作サポート

開発試作から評価・解析までをワンストップでサポート

年間1,000件以上の試作実績がございます。

デバイス開発時における初期特性評価やウェーハ配線など、長期信頼性評価及び解析用として、セラミックパッケージへの組立サービスのほかに、「半導体試作サポート」を行っております。

これはお客さまの細かなニーズに対応するため、試作案件の一部工程のみを弊社にて代行するサービスです。
EM（ElectroMigration）・酸化膜経時破壊（TDDB）・TEG（Test Element Group）などのご評価にもお役立て下さい。

また、ご評価を終えたパッケージ済品からチップを取り出し、セラミックパッケージの再利用も可能です。

製造プロセス・パッケージ

多様化するパッケージ形態にお応えすべく、製造プロセスの技術向上に努めております。
以下に記載のないものや、応用が必要な特注試作品につきましてもお気軽にご相談ください。

製造プロセス

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工程	プロセス	マテリアル
裏面研削	ブレード	ウェーハ径	Max Φ12″
ウェーハダイシング	ブレード	ウェーハ径	Max Φ12″
ダイボンディング	ウェーハ径 DieSize	ウェーハ径	Max Φ12″
	ウェーハ径 DieSize	DieSize	□0.25～20mm
	加熱タイプ	共昌接合	Max400℃
	加熱タイプ	半田(N2有)	ディスペンス・プリフォーム
	常温(ペースト)	ペースト材	導電性・絶縁性
ワイヤボンディング	ボールボンディング	Wire径	Φ15″～38μm
		Wire材	Au.Cu.AL.Ag
		Wire長	0.2～9.0mm
		Pad Size	Min □30μm
		Pad Pitch	Min 40μm
	ウェッジボンディング (細線タイプ)	Wire径	Φ15″～80μm
		Wire材	Au.Cu.AL
		Wire長	0.2～19.0mm
		Pad Pitch	Min □50μm
		Pad Pitch	Min 60μm
	ウェッジボンディング (太線タイプ)	Wire径	Φ100″～500μm
		Wire材	AL
		Wire長	2.0～40mm
	ウェッジボンディング (リボンタイプ)	Wire幅	0.5～2.0mm
		Wire厚	0.1～0.3mm
		Wire材	AL
		Wire長	2.0～40mm
端子接合	超音波接合	端子厚	t=1.0mm
端子接合	超音波接合	PKG Size	152×92mm
封止	トランスファモ―ルド	リードフレーム	Max：45×228mm
封止	ポッティング	ディスペンス	2軸ヘッド搭載
TF	トリミングフォーミング	PKG Size	□3.0～□15.7
電気テスト	カーブトレーサ	電圧	Max：3,000V
電気テスト	カーブトレーサ	電流	Max：1,000A
出荷形態	テープリール	PKG Size	3.0×4.0mm～5.3×12.8mm
	チューブ	PKG Size	Max:5.3×12.8mm
	トレー	PKG Size	□12.0～□28.0