半導体試作サポート
半導体試作サポート
試作から量産までをワンストップでサポート
デバイス開発時における初期特性評価やウェーハ配線など、長期信頼性評価及び解析用として、セラミックパッケージへの組立サービスのほかに、「半導体試作サポート」を行っております。
これはお客さまの細かなニーズに対応するため、試作案件の一部工程のみを弊社にて代行するサービスです。
EM（ElectroMigration）・酸化膜経時破壊（TDDB）・TEG（Test Element Group）などのご評価にもお役立て下さい。
また、ご評価を終えたパッケージ済品からチップを取り出し、セラミックパッケージの再利用も可能です。
製造プロセス・パッケージ
多様化するパッケージ形態にお応えすべく、製造プロセスの技術向上に努めております。
以下に記載のないものや、応用が必要な特注試作品につきましてもお気軽にご相談ください。
製造プロセス
| 工程 | プロセス | マテリアル | |
|---|---|---|---|
| 裏面研削 | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ12″ |
| ウェーハダイシング | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ12″ |
| ダイボンディング | ウェーハ径DieSize | ウェーハ径 | Max Φ12″ |
| DieSize | □0.25～20mm | ||
| 加熱タイプ | 共昌接合 | Max400℃ | |
| 半田(N2有) | ディスペンス・プリフォーム | ||
| 常温(ペースト) | ペースト材 | 導電性・絶縁性 | |
| ワイヤボンディング | ボールボンディング | Wire径 | Φ15″～38μm |
| Wire材 | Au.Cu.Ag | ||
| Wire長 | 0.2～9.0mm | ||
| Pad Size | Min □30μm | ||
| Pad Pitch | Min 40μm | ||
| ウェッジボンディング (鋼線タイプ) |
Wire径 | Φ15″～80μm | |
| Wire材 | Au.Cu.AL.Ag | ||
| Wire長 | 0.2～19.0mm | ||
| Pad Size | Min □50μm | ||
| Pad Pitch | Min 60μm | ||
| ウェッジボンディング (太線タイプ) |
Wire径 | Φ100″～500μm | |
| Wire材 | AL | ||
| Wire長 | 2.0～40mm | ||
| ウェッジボンディング (リボンタイプ) |
Wire幅 | 0.5～2.0mm | |
| Wire厚 | 0.1～0.3mm | ||
| Wire材 | AL | ||
| Wire長 | 2.0～40mm | ||
| 端子接合 | 超音波接合 | 端子厚 | t=1.0mm |
| PKG Size | 152×92mm | ||
| 封止 | トランスファモ―ルド | リードフレーム | Max：45×228mm |
| ポッティング | ディスペンス | 2軸ヘッド搭載 | |
| TF | トリミングフォーミング | PKG Size | □3.0～□15.7 |
| 電気テスト | カーブトレーサ | 電圧 | Max：3,000V |
| 電流 | Max：1,000A | ||
| 出荷形態 | テープリール | PKG Size | 3.0×4.0mm～5.3×12.8mm |
| チューブ | PKG Size | Max:5.3×12.8mm | |
| トレー | PKG Size | □12.0～□28.0 | |
パッケージ素材
弊社の主なパッケージ試作実績代表例をご案内いたします。
セラミックパッケージ／PCB基板の一例
| DIP | PGA | QFP |
|---|---|---|
 |
 |
 |
| QFN | PCB | |
 |
 |
このほか、SOP, VSSOP, TSSOPなどプラスチックパッケージも対応可能です。
パワーデバイスページも合わせてご覧ください。
プロセス、使用部材を柔軟に対応
試作専用の装置を多数保有し、経験を積んだ熟練工が対応します。ルーティン工程に制限されることなく、装置のみでは不可能なプロセスや材料・仕様にも柔軟にお応えします。
極薄チップ対応
20～30um厚などの極薄チップは、装置での取り扱いが難しくなりますが
弊社の経験を積んだスタッフが、高精度を伴ったマニュアル作業にて対応します。
微細・高精度、制限条件のあるデザイン仕様への対応
開発/試作段階は、実装デザインが仕様上制限されてしまう
ことがよくあります。微細・高精度が求められるものや、
ボンディングワイヤが長くなってしまうものなど柔軟に対応
します。また、I/O配線・アサインの制限で、ワイヤボンデ
ィングが困難なものも、設計提案します。
クロス/オーバーのワイヤボンディング
ボンディングワイヤのループ高さ、形状を細かく設定・制御することで、
高精度でのワイヤ結線が可能です。
ガラスエポキシ基板
チップ・ワイヤの保護も可能です
COB(Chip on Board)等の基板への組立サービスも行っております。樹脂ポッティングによるチップ・ワイヤの保護も対応可能です。
パッケージ開封品のワイヤボンディング
パッケージ封止材を開封したチップへの再ワイヤボンディングをします。
PADの状態が良くないものは、
ウェッジボンディングが有効になります。
