大分高専さまとの共同研究 Season2 #4 『研究発表会』を掲載しました

昨春からスタートした大分高専さまとの共同研究 Season2も、ついに一年間の集大成である「研究発表会」を迎えました。

次世代パワーデバイスとして期待されている、SiCなどのワイドギャップ半導体。
しかしこれには、
・パワーモジュールパッケージの高耐熱化
・低寄生インダクタンス化
・低熱抵抗化　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
などの課題があります。

そうした中で2021年に始まった大分高専さまとの共同研究も2年目を迎え、次の3つのテーマに沿って進めてきました。

テーマ1：リード線の形状が、インダクタンス値と電流密度(熱)にどのような関係があるのか。
テーマ2：リード線の一部を複数本にした時、どのような変化が起こるか。
テーマ3：全てのチップに対してリード線の本数を変えたとき、どのような変化が起こるか。
です。

前回に続き、ODTとしても今回地元の学生さんとの繋がり、そして実践的な研究テーマを取り組んでいただけて、大変貴重な機会を頂けました。
ぜひご覧ください。

前回のSeason2 #1は、下記リンクよりご覧いただけます。
#1：キックオフミーティング
https://www.odt.co.jp/corp/education/oitatc05/