昨年行われた、大分高専さまとの共同研究。
「リード形状によるMOS-FET内の電界特性解析」というテーマについて取り組んで頂き、「リード線の形状によって、MOS-FET内の電界状況が変わる」という成果が得られました。

またこの研究については各方面からの反響もあり、今年度も行うことが決まりました。

登場人物ご紹介

5月12日。ODT第三工場会議室にてキックオフミーティングを開催し、研究テーマの決定と今後の進め方についてすり合わせました。

今年のテーマは2つあります。
まずひとつめは、「パワーモジュール内部構造の絶縁体制確保」です。
電極間に20kV印加しても絶縁体制が確保できるよう、パワーモジュールの内部構造の絶縁設計をしていただきます。

2つめは「パワーモジュールの寄生インダクタンス設計検証」です。
上記パワーモジュールの内部構造にて、高速でパワー半導体チップをスイッチングさせた場合、サージ電圧によってチップや電源システムの故障の原因となります。

そこでパワーモジュールの寄生インダクタンスを電磁界シミュレーションで見積もり、20kV印加時のサージ電圧を検討して頂きます。

ミーティングのあとは工場見学。

新設の第三工場にて、杉木から設備やラインをご説明しました。

また社内の掲示物をもとに、半導体の製造工程についてもご説明しました。

初めて見る実際の現場に、荻山さんは大変興味を持って見学されていました。
来年3月の研究発表会を目指し、一緒に頑張っていきましょう！

次回の記事では、大分高専さまの校舎にお邪魔して、研究の様子を伺う予定です。

以前の記事はこちら

シリーズ：大分高専さまとの共同研究 Season1
第1回：キックオフミーティング

シリーズ：大分高専さまとの共同研究 Season1
第2回：共同研究その2

シリーズ：大分高専さまとの共同研究 Season1
第3回：共同研究その3 ODTからのアドバイス

シリーズ：大分高専さまとの共同研究 Season1
第4回：研究発表